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Paper title: NOUVEAU PROCÉDÉ DE TRAÇAGE DE LA CARACTÉRISTIQUE DES GÉNÉRATEURS PHOTOVOLTAÏQUES DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT RÉELLES (A NEW METHOD OF TRACING THE CHARACTERISTIC OF PHOTOVOLTAIC GENERATORS UNDER REAL OPERATING CONDITIONS)

Author(s): ZOUHIR AMOKRANE, MOURAD HADDADI, NOUREDDINE OULD CHERCHALI,

Abstract:

L’optimisation du rendement ou le diagnostic des GPV est basée sur leurs caractreristiques dans les conditions de fonctionnement réelles. L’article présente un systeme électronique robuste, à encombrant et coût réduits par rapport à destraceurs classiques de puissance égale pour le test des GPV et l’acquisition de ses paramètres. On utilise un transistor à effet de champ à grille métaloxiyde isolée (MOSFET) comme charge électronique, une faible résistance de puissance pour l’acquisition du courant du GPV, un GBF et un oscilloscope. Le courant de sortie IPV en fonction de la tension de sortie VPV est tracé sur l’oscilloscope par balayage rapide de la charge électronique commandé par la GBF. Ces données sont acquises sur une carte mémoire SD (Secure Digital) placée dans l’oscilloscope. Tous les détails du circuit électronique sont présentés dans le présent article et les résultats experimentaux obtenus sont présentés afin de verifier son comportement et ces performances. (Performance optimization or GPV diagnosis is based on their characteristics under real operating conditions. The article presents a robust electronic system, bulky and cost reduced compared to conventional tracers of equal power for the GPV test and the acquisition of its parameters. A metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is used as the electronic load, a low power resistance for GPV current acquisition, a function generator GBF and an oscilloscope. The output current IPV as a function of the output voltage VPV is plotted on the oscilloscope by rapidly scanning the electronic load controlled by the GBF. This data is acquired on an SD memory card in the oscilloscope. All the details of the electronic circuit are presented in this article and the experimental results obtained are presented in order to check its behavior and performances.)

Keywords: Générateur photovoltaïque (GPV), Caractéristique VPV-IPV, Transistor MOSFET, Point de puissance maximale (MPP), Générateur basse fréquence (GBF), Conditions de fonctionnement réelles (Photovoltaic generator (GPV), Characteristic voltage-current (VPV–IPV), Transistor MOSFET, Maximum power point (MPP), Low frequency generator (GBF), Real operating conditions)

Year: 2017 | Tome: 62 | Issue: 3 | Pp.: 276-281

Full text : PDF (703 KB)